晶圓激光環切設備
利用激光對鍵合晶圓解鍵合之前進行edge trim工藝，槽深切割至玻璃載板，確保切透RDL層、release膠層時對玻璃載板的損傷程度可控制，損傷深度0~20微米。
咨詢電話：400 8017 001
電子郵箱：contact@delphilaser.com■ 設備參數：
設備能力 | |||
設備能力 | EMC開槽、Edge trim | 激光類型 | UV（Ps） |
加工材料 | EMC、Si、Pi 等 | 晶圓尺寸 | 12" |
加工能力 | 能完全切透EMC 、PI+RDL，玻璃載板的損傷程度可控制 | 晶圓厚度 | ≥200μm |
加工精度 | tolerance≤±30μm | 晶圓翹曲 | 200-1000μm，≤5mm 1000-2000μm，≤3mm |
設備附加能力 | 二流體清洗 | 上料模組 | Bare wafer Load Port*2 |
通訊方式 | SECS/GEM | ||
■ 應用領域：
設備同時具備鍵合晶圓解鍵合之前的edge trim工藝。
■ 加工效果示例圖
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